蝕刻液中陰離子的測定
在集成電路制造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案，這些圖案主要的形成方式是藉由蝕刻技術，將微影后產生的光阻圖案忠實的轉印至光阻下的材質上，以形成集成電路的復雜架構。因此蝕刻技術在半導體制造過程中占有極重要的地位。蝕刻技術大略可分為濕式蝕刻和干式蝕刻兩種技術。濕式蝕刻是利用特定的化學溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解，并轉成可溶于此溶液的化合物后加以排除，從而達到蝕刻的目的。大部分的蝕刻過程包含一個或多個化學反應，常見的是先將待蝕刻層表面予以氧化，再將此氧化層溶解，如此反復達到蝕刻的效果，因此蝕刻液大多由一種或多種酸溶液混合而成。離子色譜可檢測蝕刻液中的酸根離子，亦可檢測經蝕刻后的電路板上酸根的殘留量。
色譜條件
分析柱：SH-AG-1+SH-AC-11
流動相：13 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱溫：35℃
抑制器：SHY-A-6
進樣體積：25 μL
前處理：樣品稀釋適當倍數過 Na 柱和 0.22 μm 濾膜，進樣分析。
蝕刻液中陰離子譜圖
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